專利/新品種名稱	具備基座閘極觸發用於改善短路及置入基座接觸端靜電退化的N型金氧半電晶體結構
專利字號	M509975
專利類別	新型專利
國別	國內
申請進度	已核准
作者順序	第一作者
申請日期	2013/12/27
啟用日期	2015/10/01
終止日期	2023/12/26
發照單位	經濟部智慧財產局
著作人	黃至堯