专利/新品种名称 | 具备基座闸极触发用于改善短路及置入基座接触端静电退化的N型金氧半电晶体结构 |
---|---|
专利字号 | M509975 |
专利类别 | 新型专利 |
国别 | 国内 |
申请进度 | 已核准 |
作者顺序 | 第一作者 |
申请日期 | 2013/12/27 |
启用日期 | 2015/10/01 |
终止日期 | 2023/12/26 |
发照单位 | 经济部智慧财产局 |
着作人 | 黄至尧 |
专利/新品种名称 | 具备基座闸极触发用于改善短路及置入基座接触端静电退化的N型金氧半电晶体结构 |
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专利字号 | M509975 |
专利类别 | 新型专利 |
国别 | 国内 |
申请进度 | 已核准 |
作者顺序 | 第一作者 |
申请日期 | 2013/12/27 |
启用日期 | 2015/10/01 |
终止日期 | 2023/12/26 |
发照单位 | 经济部智慧财产局 |
着作人 | 黄至尧 |