全部作者 黄至尧
论文名称 应力诱发界面陷阱与氧化层陷阱电荷对 High-K / Metal Gate Ge- pMOSFETs的退化影响
研讨会名称 第19届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会
举行地点 中华民国台湾新竹
会议开始时间 2021-11-03
会议结束时间 2021-11-05
作者顺序 第四(以上)作者