| 全部作者 | 黃至堯 |
|---|---|
| 論文名稱 | A SCR-Buried BJT Device for Robust ESD Protection with High Latchup Immunity in High-Voltage Technology |
| 研討會名稱 | IEEE 16th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits |
| 舉行地點 | NATCHN-中國大陸Suzhou |
| 會議開始時間 | 2009-07-06 |
| 會議結束時間 | 2009-07-10 |
| 作者順序 | 第一作者 |
