全部作者 | 黄至尧 |
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论文名称 | A High Latchup - Immune ESD Protection SCR- Incorporated BJT in Deep Submicron Technology |
研讨会名称 | 20th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits |
举行地点 | 大陆地区江苏省苏州 |
会议开始时间 | 2013-07-17 |
会议结束时间 | 2013-07-19 |
作者顺序 | 第一作者 |