全部作者 黄至尧
论文名称 A High Latchup - Immune ESD Protection SCR- Incorporated BJT in Deep Submicron Technology
研讨会名称 20th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
举行地点 大陆地区江苏省苏州
会议开始时间 2013-07-17
会议结束时间 2013-07-19
作者顺序 第一作者